INFINEON
Транзистор IRF4905LPBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -55 V
- Drain current
- -74 A
- Power dissipation
- 200 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF4905LPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -55 V |
| Drain current | -74 A |
| Power dissipation | 200 W |
| Корпус | TO262 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 20 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 0.12µC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.