Антава

INFINEON

Транзистор IRF4104PBF

IRF4104PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Power dissipation
140 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 143 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%337,15 ₽

Сумма · с НДС 22%337,15 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1337,15 ₽
от 10235,04 ₽
от 50200,36 ₽
от 100186,88 ₽
от 200169,54 ₽
от 500159,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF4104PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Power dissipation140 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge68nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB

Документация

Документ производителя