Антава

INFINEON

Транзистор IRF4104PBF

IRF4104PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Power dissipation
140 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF4104PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Power dissipation140 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge68nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB

Документация

Документ производителя