Антава

INFINEON

Транзистор IRF3808STRLPBF

IRF3808STRLPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
75 A
Pulsed drain current
550 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF3808STRLPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current75 A
Pulsed drain current550 A
Power dissipation200 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.