Антава

INFINEON

Транзистор IRF3808STRLPBF

IRF3808STRLPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
75 A
Pulsed drain current
550 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 364 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%742,12 ₽

Сумма · с НДС 22%742,12 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1742,12 ₽
от 10507,18 ₽
от 25428,87 ₽
от 50378,52 ₽
от 100339,36 ₽
от 125324,45 ₽
от 500266,64 ₽
от 800259,18 ₽
от 2400246,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF3808STRLPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current75 A
Pulsed drain current550 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.