Антава

INFINEON

Транзистор IRF3808PBF

IRF3808PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75V
Drain current
140A
Power dissipation
330W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF3808PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75V
Drain current140A
Power dissipation330W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB

Документация

Документ производителя