Антава

INFINEON

Транзистор IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
59 A
Рассеиваемая мощность
160 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 165 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%423,20 ₽

Сумма · с НДС 22%423,20 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1423,20 ₽
от 10251,05 ₽
от 20225,76 ₽
от 50197,97 ₽
от 100185,96 ₽
от 200174,48 ₽
от 500159,77 ₽
от 1000149,02 ₽
от 2000138,61 ₽
от 5000125,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF3710ZPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current59 A
Рассеиваемая мощность160 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge82nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB

Документация

Документ производителя