Антава

INFINEON

Транзистор IRF3710PBF

IRF3710PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
57 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 573 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%369,20 ₽

Сумма · с НДС 22%369,20 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1369,20 ₽
от 10253,22 ₽
от 50195,23 ₽
от 100174,34 ₽
от 250150,10 ₽
от 500133,88 ₽
от 1000119,15 ₽
от 2000107,78 ₽
от 5000103,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF3710PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current57 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB

Документация

Документ производителя