Антава

INFINEON

Транзистор IRF3415PBF

IRF3415PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
43 A
Power dissipation
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF3415PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current43 A
Power dissipation200 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge133.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB

Документация

Документ производителя