Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IRF3205ZPBFXKMA1

IRF3205ZPBFXKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55V
Drain current
78A
Power dissipation
170W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF3205ZPBFXKMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55V
Drain current78A
Power dissipation170W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.