Антава

INFINEON

Транзистор IRF3205PBF

IRF3205PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 116 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%397,17 ₽

Сумма · с НДС 22%397,17 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1397,17 ₽
от 10208,28 ₽
от 25167,44 ₽
от 50145,25 ₽
от 100128,66 ₽
от 250113,00 ₽
от 500104,61 ₽
от 100098,45 ₽
от 200093,60 ₽
от 500089,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF3205PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge146nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB

Документация

Документ производителя