Антава

INFINEON

Транзистор IRF300P227

IRF300P227
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
StrongIRFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
35 A
Power dissipation
313 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF300P227
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияStrongIRFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current35 A
Power dissipation313 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge107nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W

Документация

Документ производителя