INFINEON
Транзистор IRF2807STRLPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 75 V
- Drain current
- 82 A
- Рассеиваемая мощность
- 200 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 450 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%497,72 ₽
Сумма · с НДС 22%497,72 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 497,72 ₽ | |
| от 10 | 321,17 ₽ | |
| от 50 | 248,32 ₽ | |
| от 100 | 221,09 ₽ | |
| от 250 | 188,09 ₽ | |
| от 500 | 165,18 ₽ | |
| от 800 | 150,58 ₽ | |
| от 1600 | 130,20 ₽ | |
| от 2400 | 124,97 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF2807STRLPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 75 V |
| Drain current | 82 A |
| Рассеиваемая мощность | 200 W |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.