Антава

INFINEON

Транзистор IRF2807PBF

IRF2807PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
82 A
Power dissipation
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF2807PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current82 A
Power dissipation200 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge106.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB

Документация

Документ производителя