Антава

INFINEON

Транзистор IRF2805PBF

IRF2805PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
175 A
Power dissipation
330 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 466 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%417,57 ₽

Сумма · с НДС 22%417,57 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1417,57 ₽
от 10238,34 ₽
от 25219,27 ₽
от 50207,83 ₽
от 100194,48 ₽
от 500179,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF2805PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current175 A
Power dissipation330 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB

Документация

Документ производителя