Антава

INFINEON

Транзистор IRF2805PBF

IRF2805PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
175 A
Power dissipation
330 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF2805PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current175 A
Power dissipation330 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB

Документация

Документ производителя