Антава

INFINEON

Транзистор IRF200B211

IRF200B211
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
34 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF200B211
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current9 A
Pulsed drain current34 A
Power dissipation80 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge23nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB

Документация

Документ производителя