Антава

INFINEON

Транзистор IRF1405PBF

IRF1405PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
133 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 42 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%506,15 ₽

Сумма · с НДС 22%506,15 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1506,15 ₽
от 10334,95 ₽
от 50245,63 ₽
от 100217,72 ₽
от 500169,34 ₽
от 1000154,45 ₽
от 2000143,28 ₽
от 4000139,56 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF1405PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current133 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB

Документация

Документ производителя