Антава

INFINEON

Транзистор IRF135S203

IRF135S203
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
135 V
Drain current
91 A
Pulsed drain current
512 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 794 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%787,47 ₽

Сумма · с НДС 22%787,47 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1787,47 ₽
от 10596,80 ₽
от 50493,83 ₽
от 100457,61 ₽
от 500369,90 ₽
от 800347,02 ₽
от 1600310,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF135S203
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage135 V
Drain current91 A
Pulsed drain current512 A
Power dissipation441 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.27µC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK

Документация

Документ производителя