Антава

INFINEON

Транзистор IRF135S203

IRF135S203
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
135V
Drain current
91A
Pulsed drain current
512A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF135S203
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage135V
Drain current91A
Pulsed drain current512A
Power dissipation441W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.27µC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK

Документация

Документ производителя