Антава

INFINEON

Транзистор IRF135B203

IRF135B203
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
135 V
Drain current
91 A
Pulsed drain current
512 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF135B203
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage135 V
Drain current91 A
Pulsed drain current512 A
Power dissipation441 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.27µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB

Документация

Документ производителя