Антава

INFINEON

Транзистор IRF1324PBF

IRF1324PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
24 V
Drain current
353 A
Рассеиваемая мощность
300 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 28 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%455,43 ₽

Сумма · с НДС 22%455,43 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1455,43 ₽
от 10400,12 ₽
от 50320,83 ₽
от 100293,17 ₽
от 200280,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF1324PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage24 V
Drain current353 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge160nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя