INFINEON
Транзистор IRF1324PBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 24 V
- Drain current
- 353 A
- Рассеиваемая мощность
- 300 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 28 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%455,43 ₽
Сумма · с НДС 22%455,43 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 455,43 ₽ | |
| от 10 | 400,12 ₽ | |
| от 50 | 320,83 ₽ | |
| от 100 | 293,17 ₽ | |
| от 200 | 280,26 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF1324PBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 24 V |
| Drain current | 353 A |
| Рассеиваемая мощность | 300 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.5 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 160nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.