Антава

INFINEON

Транзистор IRF1310NPBF

IRF1310NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
42 A
Power dissipation
160 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF1310NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current42 A
Power dissipation160 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB

Документация

Документ производителя