Антава

INFINEON

Транзистор IRF1018EPBF

IRF1018EPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
79 A
Рассеиваемая мощность
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 317 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%362,19 ₽

Сумма · с НДС 22%362,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1362,19 ₽
от 10231,19 ₽
от 50176,41 ₽
от 100157,13 ₽
от 500120,19 ₽
от 1000107,04 ₽
от 2000102,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF1018EPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current79 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB

Документация

Документ производителя