Антава

INFINEON

Транзистор IRF1010NSTRLPBF

IRF1010NSTRLPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
60 A
Power dissipation
180 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF1010NSTRLPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current60 A
Power dissipation180 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK

Документация

Документ производителя