Антава

INFINEON

Транзистор IRF1010EPBF

IRF1010EPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
81A
Power dissipation
170W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF1010EPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current81A
Power dissipation170W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance12mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB

Документация

Документ производителя