Антава

INFINEON

Транзистор IRF100S201

IRF100S201
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
136 A
Pulsed drain current
690 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF100S201
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current136 A
Pulsed drain current690 A
Power dissipation441 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge255nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK

Документация

Документ производителя