Антава

INFINEON

Транзистор IRF100B201

IRF100B201
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
136 A
Pulsed drain current
690 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 607 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%655,16 ₽

Сумма · с НДС 22%655,16 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1655,16 ₽
от 10499,95 ₽
от 20445,80 ₽
от 50384,43 ₽
от 100342,92 ₽
от 500272,53 ₽
от 1000250,88 ₽
от 2000238,24 ₽
от 5000227,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF100B201
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current136 A
Pulsed drain current690 A
Рассеиваемая мощность441 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge255nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB

Документация

Документ производителя