Антава

INFINEON

Транзистор IPZA60R099P7XKSA1

IPZA60R099P7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20 A
Power dissipation
117 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPZA60R099P7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20 A
Power dissipation117 W
КорпусPG-TO247-4
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge45nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4

Документация

Документ производителя