Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPZ65R045C7XKSA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™ C7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
46A
Power dissipation
227W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPZ65R045C7XKSA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ C7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current46A
Power dissipation227W
КорпусPG-TO247-4
Gate-source voltage±20V
On-state resistance45mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4

Документация

Документ производителя