Антава

INFINEON

Транзистор IPW65R190CFDFKSA1

IPW65R190CFDFKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
17.5 A
Power dissipation
151 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPW65R190CFDFKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current17.5 A
Power dissipation151 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя