Антава

INFINEON

Транзистор IPW65R080CFDA

IPW65R080CFDA
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
27.4A
Power dissipation
391W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPW65R080CFDA
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current27.4A
Power dissipation391W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance80mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя