Антава

INFINEON

Транзистор IPW65R041CFDFKSA1

IPW65R041CFDFKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
68.5 A
Power dissipation
500 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPW65R041CFDFKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current68.5 A
Power dissipation500 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя