Антава

INFINEON

Транзистор IPW65R037C6FKSA1

IPW65R037C6FKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
83.2 A
Рассеиваемая мощность
500 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPW65R037C6FKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current83.2 A
Рассеиваемая мощность500 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя