Антава

INFINEON

Транзистор IPW65R019C7FKSA1

IPW65R019C7FKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
75 A
Power dissipation
446 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPW65R019C7FKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current75 A
Power dissipation446 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя