Антава

INFINEON

Транзистор IPW60R299CPFKSA1

IPW60R299CPFKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CP
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11 A
Рассеиваемая мощность
98 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPW60R299CPFKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CP
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11 A
Рассеиваемая мощность98 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.299 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя