Антава

INFINEON

Транзистор IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
219 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 144 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 015,58 ₽

Сумма · с НДС 22%1 015,58 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 015,58 ₽
от 10505,03 ₽
от 30455,26 ₽
от 60423,93 ₽
от 120392,59 ₽
от 150383,38 ₽
от 300353,89 ₽
от 480346,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPW60R125P6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность219 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя