Антава

INFINEON

Транзистор IPW60R099P6XKSA1

IPW60R099P6XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
37.9 A
Power dissipation
278 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPW60R099P6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current37.9 A
Power dissipation278 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя