Антава

INFINEON

Транзистор IPW60R099CM8XKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
600 V
Drain current
29 A
Рассеиваемая мощность
176 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPW60R099CM8XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage600 V
Drain current29 A
Рассеиваемая мощность176 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge31nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 29A; 176W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.