Антава

INFINEON

Транзистор IPW60R099C7XKSA1

IPW60R099C7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ C7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
22 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPW60R099C7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ C7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current22 A
Power dissipation110 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя