Антава

INFINEON

Транзистор IPW60R041P6FKSA1

IPW60R041P6FKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
77.5 A
Power dissipation
481 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPW60R041P6FKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current77.5 A
Power dissipation481 W
КорпусPG-TO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3

Документация

Документ производителя