INFINEON
Транзистор IPU80R4K5P7AKMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- CoolMOS™ P7
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 1 A
- Pulsed drain current
- 2.6 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 385 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%217,43 ₽
Сумма · с НДС 22%217,43 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 217,43 ₽ | |
| от 10 | 97,47 ₽ | |
| от 20 | 90,53 ₽ | |
| от 75 | 80,60 ₽ | |
| от 150 | 76,85 ₽ | |
| от 525 | 69,91 ₽ | |
| от 1500 | 64,10 ₽ | |
| от 4500 | 61,29 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IPU80R4K5P7AKMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 1 A |
| Pulsed drain current | 2.6 A |
| Рассеиваемая мощность | 13 W |
| Корпус | IPAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4.5 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 4nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; Idm: 2.6A; 13W; IPAK; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.