Антава

INFINEON

Транзистор IPU80R2K4P7AKMA1

IPU80R2K4P7AKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.7 A
Power dissipation
22 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPU80R2K4P7AKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.7 A
Power dissipation22 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge8nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 22W; IPAK; ESD

Документация

Документ производителя