Антава

INFINEON

Транзистор IPU80R1K0CEBKMA1

IPU80R1K0CEBKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5.7 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPU80R1K0CEBKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5.7 A
Power dissipation83 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; IPAK

Документация

Документ производителя