INFINEON

Транзистор IPT65R040CM8XTMA1

PG-HSOF-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 67 A
Power dissipation: 390 W
Корпус: PG-HSOF-8

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPT65R040CM8XTMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	CoolMOS™
Drain-source voltage	650 V
Drain current	67 A
Power dissipation	390 W
Корпус	PG-HSOF-8
Gate-source voltage	20 V
On-state resistance	40 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	80nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8

Документация

Документы пока не предоставлены.