Антава

INFINEON

Транзистор IPT65R018CM8XTMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
134 A
Power dissipation
694 W
Корпус
PG-HSOF-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPT65R018CM8XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage650 V
Drain current134 A
Power dissipation694 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge173nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8

Документация

Документы пока не предоставлены.