INFINEON

Транзистор IPT60R070CM8XTMA1

PG-HSOF-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: CoolMOS™
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 40 A
Power dissipation: 245 W
Корпус: PG-HSOF-8

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPT60R070CM8XTMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	CoolMOS™
Drain-source voltage	600 V
Drain current	40 A
Power dissipation	245 W
Корпус	PG-HSOF-8
Gate-source voltage	20 V
On-state resistance	70 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	43nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8

Документация

Документы пока не предоставлены.