Антава

INFINEON

Транзистор IPT60R065S7XTMA1

IPT60R065S7XTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ S7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
126 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPT60R065S7XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ S7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current8 A
Pulsed drain current126 A
Power dissipation167 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance137 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A

Документация

Документы пока не предоставлены.