Антава

INFINEON

Транзистор IPT60R022S7XTMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ S7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
23 A
Pulsed drain current
375 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPT60R022S7XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ S7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current23 A
Pulsed drain current375 A
Power dissipation390 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A

Документация

Документ производителя