Антава

INFINEON

Транзистор IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
110 A
Pulsed drain current
620 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPT059N15N3ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current110 A
Pulsed drain current620 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge69nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W

Документация

Документ производителя